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IXTU05N100
IXTY05N100
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
TO-251 (IXTU) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V DS = 20V, I D = 500mA, Note 1
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 1A
R G = 47 Ω (External)
0.55
0.93
260
22
8
11
19
40
28
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCA
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 1A
7.8
1.4
4.1
nC
nC
nC
3.1 ° C/W
110 ° C/W
Dim.
A
A1
b
b1
b2
c
c1
D
E
1. Gate 2.Drain
3. Source 4. Drain
Millimeter
Min. Max.
2.19 2.38
0.89 1.14
0.64 0.89
0.76 1.14
5.21
5.46
0.46
0.58
0.46
0.58
5.97
6.22
6.35
6.73
Inches
Min. Max.
.086 .094
0.35 .045
.025 .035
.030 .045
.205
.215
.018
.023
.018
.023
.235
.245
.250
.265
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
e
e1
H
L
L1
2.28
4.57
17.02
8.89
1.91
BSC
BSC
17.78
9.65
2.28
.090
.180
.670
.350
.075
BSC
BSC
.700
.380
.090
I S
V GS = 0V
750 mA
L2
0.89
1.27
.035
.050
I SM
Repetitive, pulse width limited by T JM
3
A
V SD
t rr
I F = I S , V GS = 0V, Note 1
I F = I S , -di/dt = 100A/ μ s
V R = 100V, V GS = 0V
710
1.5
V
ns
TO-252 (IXTY) Outline
Note 1: Pulse test, t ≤ 300 μ s; duty cycle, d ≤ 2%.
Pins:
1 - Gate
2,4 - Drain
3 - Source
Dim.
Millimeter
Inches
Min. Max.
Min.
Max.
A
A1
A2
b
b1
b2
c
c1
D
D1
E
E1
2.19
0.89
0
0.64
0.76
5.21
0.46
0.46
5.97
4.32
6.35
4.32
2.38
1.14
0.13
0.89
1.14
5.46
0.58
0.58
6.22
5.21
6.73
5.21
0.086
0.035
0
0.025
0.030
0.205
0.018
0.018
0.235
0.170
0.250
0.170
0.094
0.045
0.005
0.035
0.045
0.215
0.023
0.023
0.245
0.205
0.265
0.205
e
e1
2.28 BSC
4.57 BSC
0.090 BSC
0.180 BSC
H
L
9.40 10.42
0.51 1.02
0.370
0.020
0.410
0.040
L1
L2
0.64
0.89
1.02
1.27
0.025
0.035
0.040
0.050
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
L3
2.54
2.92
0.100
0.115
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
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相关代理商/技术参数
IXTU05N120
功能描述:MOSFET N-CH 1200V 0.5A TO-251 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IXTU06N120P
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IXTU08N100P
功能描述:MOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTU12N06T
功能描述:MOSFET 12 Amps 6V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTU1R4N60P
功能描述:MOSFET 1.4 Amps 600V 9.0 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTU2N80P
功能描述:MOSFET Polar MOS
RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTU44N10T
功能描述:MOSFET 44 Amps 100V 25.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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功能描述:MOSFET 50 Amps 85V 20.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube